鐵電材料因其自發(fā)的電極化行為而被廣泛應用在邏輯運算，數(shù)據(jù)存儲，光電效應等領域。通常在鐵電材料中，在一個單胞內正負電荷中心不重合會引發(fā)自發(fā)電極化因而產生宏觀鐵電性。近年來，研究者們在二維的范德華層狀材料中也發(fā)現(xiàn)了鐵電性。二維范德華鐵電材料因為層間的整體滑移，可以較小的電壓下實現(xiàn)鐵電極化翻轉，從而彌補傳統(tǒng)鐵電材料的缺陷釘扎效應，因而具有明顯的抗疲勞優(yōu)勢。然而，目前鐵電性起源在微觀結構上的研究十分有限。

2023年，據(jù)《Nature》雜志報道基于三層的InSe材料制備的場效應管具有顯著高于傳統(tǒng)硅基材料的室溫彈道比，是目前場效管的最高值，因而有望成為半導體行業(yè)中突破硅基摩爾極限的二維材料新方案。塊體材料的InSe是二維的”Se-In-In-Se四層結構”（QL）經(jīng)由范德華鍵堆疊而成，根據(jù)不同的堆疊順序可組成四種不同的結構相（圖1），分別是